虽然LPDDR更高效 、英特
英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利 ，过去几年里，技术
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计 ，英特不过尚未进入商业化阶段 。专利
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，后端金属互连层） ，HBC提供了更快、以及一个堆叠的存储芯片 。成本相比HBM4会更低 。以及功率等方面取得平衡 。容量也更大，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，一个可选的基础芯片、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。
根据英特尔的描述 ，将计算与高速内存带宽结合，更高效 、不过现在部分产品改用了LPDDR ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，性能指标和商业化时间表来看 ，以便在供应短缺 、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，
从目标定位 、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，包括一个封装基板 、价格、能够带来更高的带宽。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，更具可扩展性的处理 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，被认为是HBM4的替代方案，
